A. 请问内存芯片上面的序列号是什么意思
朋友：
内存序列号
(ZT)
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改
换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。
LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的
Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金
条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标
识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三
星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值为2、L=100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是
10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针
TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K
(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型
FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16
位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
B. 如何察看内存条型号
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
C. 鍐呭瓨鐨勫簭鍒楃殑闂棰
鍐呭瓨搴忓垪鍙
浠嶱C100鏍囧噯寮濮嬪唴瀛樻潯涓婂甫鏈塖PD鑺鐗囷紝SPD鑺鐗囨槸鍐呭瓨鏉℃ｉ潰鍙充晶鐨勪竴鍧8绠¤剼灏忚姱鐗囷紝閲岄潰淇濆瓨鐫鍐呭瓨鏉＄殑閫熷害銆佸伐浣滈戠巼銆佸归噺銆佸伐浣滅數鍘嬨丆AS銆乼RCD銆乼RP銆乼AC銆丼PD鐗堟湰绛変俊鎭銆傚綋寮鏈烘椂锛屾敮鎸丼PD鍔熻兘鐨勪富鏉緽IOS灏变細璇诲彇SPD涓鐨勪俊鎭锛屾寜鐓ц诲彇鐨勫兼潵璁剧疆鍐呭瓨鐨勫瓨鍙栨椂闂淬傛垜浠鍙浠ュ熷姪SiSoft Sandra2001杩欑被宸ュ叿杞浠舵潵鏌ョ湅SPD鑺鐗囦腑鐨勪俊鎭锛屼緥濡傝蒋浠朵腑鏄剧ず鐨凷DRAM PC133U-333-542灏辫〃绀鸿娴嬪唴瀛樼殑鎶鏈瑙勮寖銆
鍐呭瓨鎶鏈瑙勮寖缁熶竴鐨勬爣娉ㄦ牸寮忥紝涓鑸涓篜Cx-xxx-xxx锛屼絾鏄涓嶅悓鐨勫唴瀛樿勮寖锛屽叾鏍煎紡涔熸湁鎵涓嶅悓銆
1銆丳C66/100 SDRAM鍐呭瓨鏍囨敞鏍煎紡
锛1锛1.0---1.2鐗堟湰
杩欑被鐗堟湰鍐呭瓨鏍囨敞鏍煎紡涓猴細PCa-bcd-efgh锛屼緥濡侾C100-322-622R锛屽叾涓璦琛ㄧず鏍囧噯宸ヤ綔棰戠巼锛岀敤MHZ琛ㄧず锛堝66MHZ銆100MHZ銆133MHZ绛夛級锛沚琛ㄧず鏈灏忕殑CL锛堝嵆CAS绾靛垪瀛樺彇绛夊緟鏃堕棿锛夛紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛屼竴鑸涓2鎴3锛沜琛ㄧず鏈灏戠殑Trcd锛圧AS鐩稿笴AS鐨勫欢鏃讹級锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紝涓鑸涓2锛沝琛ㄧずTRP锛圧AS鐨勯勫厖鐢垫椂闂达級锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紝涓鑸涓2锛沞琛ㄧず鏈澶х殑tAC锛堢浉瀵逛簬鏃堕挓涓嬫部鐨勬暟鎹璇诲彇鏃堕棿锛夛紝涓鑸涓6锛坣s锛夋垨6銆5锛岃秺鐭瓒婂ソ锛沠琛ㄧずSPD鐗堟湰鍙凤紝鎵鏈夌殑PC100鍐呭瓨鏉′笂閮芥湁EEPROM锛岀敤鏉ヨ板綍姝ゅ唴瀛樻潯鐨勭浉鍏充俊鎭锛岀﹀悎Intel PC100瑙勮寖鐨勪负1銆2鐗堟湰浠ヤ笂锛沢浠ｈ〃淇璁㈢増鏈锛沨浠ｈ〃妯″潡绫诲瀷锛汻浠ｈ〃DIMM宸叉敞鍐岋紝256MB浠ヤ笂鐨勫唴瀛樺繀椤荤粡杩囨敞鍐屻
锛2锛1.2b+鐗堟湰
鍏舵牸寮忎负锛歅Ca-bcd-eeffghR锛屼緥濡侾C100-322-54122R锛屽叾涓璦琛ㄧず鏍囧噯宸ヤ綔棰戠巼锛岀敤MHZ琛ㄧず锛沚琛ㄧず鏈灏忕殑CL锛堝嵆CAS绾靛垪瀛樺彇绛夊緟鏃堕棿锛夛紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛屼竴鑸涓2鎴3锛沜琛ㄧず鏈灏戠殑Trcd锛圧AS鐩稿笴AS鐨勫欢鏃讹級锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紱d琛ㄧずTRP锛圧AS鐨勯勫厖鐢垫椂闂达級锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紱ee浠ｈ〃鐩稿逛簬鏃堕挓涓嬫部鐨勬暟鎹璇诲彇鏃堕棿锛岃〃杈炬椂涓嶅甫灏忔暟鐐癸紝濡54浠ｈ〃5.4ns tAC锛沠f浠ｈ〃SPD鐗堟湰锛屽12浠ｈ〃SPD鐗堟湰涓1.2锛沢浠ｈ〃淇璁㈢増鏈锛屽2浠ｈ〃淇璁㈢増鏈涓1.2锛沨浠ｈ〃妯″潡绫诲瀷锛汻浠ｈ〃DIMM宸叉敞鍐岋紝256MB浠ヤ笂鐨勫唴瀛樺繀椤荤粡杩囨敞鍐屻
2銆丳C133 SDRAM锛堢増鏈涓2.0锛夊唴瀛樻爣娉ㄦ牸寮
濞佺洓鍜岃嫳鐗瑰皵閮芥彁鍑轰簡PC133 SDRAM鏍囧噯锛屽▉鐩涘姏鎺ㄧ殑PC133瑙勮寖鏄疨C133 CAS=3锛屽欢鐢ㄤ簡PC100鐨勫ぇ閮ㄥ垎瑙勮寖锛屼緥濡168绾跨殑SDRAM銆3.3V鐨勫伐浣滅數鍘嬩互鍙奡PD锛涜嫳鐗瑰皵鐨凱C133瑙勮寖瑕佷弗鏍间竴浜涳紝鏄疨C133 CAS=2锛岃佹眰鍐呭瓨鑺鐗囪嚦灏7.5ns锛屽湪133MHz鏃舵渶濂借兘杈惧埌CAS=2銆
PC133 SDRAM鏍囨敞鏍煎紡涓猴細PCab-cde-ffg锛屼緥濡侾C133U-333-542锛屽叾涓璦琛ㄧず鏍囧噯宸ヤ綔棰戠巼锛屽崟浣峂HZ锛沚浠ｈ〃妯″潡绫诲瀷(R浠ｈ〃DIMM宸叉敞鍐岋紝U浠ｈ〃DIMM涓嶅惈缂撳啿鍖猴紱c琛ㄧず鏈灏忕殑CL锛堝嵆CAS鐨勫欢杩熸椂闂达級锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紝涓鑸涓2鎴3锛沝琛ㄧずRAS鐩稿笴AS鐨勫欢鏃讹紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛沞琛ㄧずRAS棰勫厖鐢垫椂闂达紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛沠f浠ｈ〃鐩稿逛簬鏃堕挓涓嬫部鐨勬暟鎹璇诲彇鏃堕棿锛岃〃杈炬椂涓嶅甫灏忔暟鐐癸紝濡54浠ｈ〃5.4ns tAC锛沢浠ｈ〃SPD鐗堟湰锛屽2浠ｈ〃SPD鐗堟湰涓2.0銆
3銆丳C1600/2100 DDR SDRAM锛堢増鏈涓1.0锛夊唴瀛樻爣娉ㄦ牸寮
鍏舵牸寮忎负锛歅Cab-ccde-ffg锛屼緥濡侾C2100R-2533-750锛屽叾涓璦琛ㄧず鍐呭瓨甯﹀斤紝鍗曚綅涓篗B/s锛沘*1/16=鍐呭瓨鐨勬爣鍑嗗伐浣滈戠巼锛屼緥濡2100浠ｈ〃鍐呭瓨甯﹀戒负2100MB/s锛屽瑰簲鐨勬爣鍑嗗伐浣滈戠巼涓2100*1/16=133MHZ锛沚浠ｈ〃妯″潡绫诲瀷(R浠ｈ〃DIMM宸叉敞鍐岋紝U浠ｈ〃DIMM涓嶅惈缂撳啿鍖猴紱cc琛ㄧずCAS寤惰繜鏃堕棿锛岀敤鏃堕挓鍛ㄦ湡鏁拌〃绀猴紝琛ㄨ揪鏃朵笉甯﹀皬鏁扮偣锛屽25浠ｈ〃CL=2.5锛沝琛ㄧずRAS鐩稿笴AS鐨勫欢鏃讹紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛沞琛ㄧずRAS棰勫厖鐢垫椂闂达紝鐢ㄦ椂閽熷懆鏈熸暟琛ㄧず锛沠f浠ｈ〃鐩稿逛簬鏃堕挓涓嬫部鐨勬暟鎹璇诲彇鏃堕棿锛岃〃杈炬椂涓嶅甫灏忔暟鐐癸紝濡75浠ｈ〃7.5ns tAC锛沢浠ｈ〃SPD鐗堟湰锛屽0浠ｈ〃SPD鐗堟湰涓1.0銆
4銆丷DRAM 鍐呭瓨鏍囨敞鏍煎紡
鍏舵牸寮忎负锛歛MB/b c d PCe锛屼緥濡256MB/16 ECC PC800锛屽叾涓璦琛ㄧず鍐呭瓨瀹归噺锛沚浠ｈ〃鍐呭瓨鏉′笂鐨勫唴瀛橀楃矑鏁伴噺锛沜浠ｈ〃鍐呭瓨鏀鎸丒CC锛沝淇濈暀锛沞浠ｈ〃鍐呭瓨鐨勬暟鎹浼犺緭鐜囷紝e*1/2=鍐呭瓨鐨勬爣鍑嗗伐浣滈戠巼锛屼緥濡800浠ｈ〃鍐呭瓨鐨勬暟鎹浼犺緭鐜囦负800Mt/s锛屽瑰簲鐨勬爣鍑嗗伐浣滈戠巼涓800*1/2=400MHZ銆
5銆佸悇鍘傚晢鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙
鍐呭瓨鎵撳亣鐨勬柟娉曢櫎浜嗚瘑鍒鍐呭瓨鏍囨敞鏍煎紡澶栵紝杩樺彲浠ュ埄鐢ㄥ埢鍦ㄥ唴瀛樿姱鐗囦笂鐨勭紪鍙枫傚唴瀛樻潯涓婁竴鑸鏈夊氶楀唴瀛樿姱鐗囷紝鍐呭瓨鑺鐗囧洜涓虹敓浜у巶瀹剁殑涓嶅悓锛屽叾涓婄殑缂栧彿涔熸湁鎵涓嶅悓銆
鐢变簬闊╁浗HY鍜孲EC鍗犳嵁浜嗕笘鐣屽唴瀛樹骇閲忕殑澶氬崐浠介濓紝瀹冧滑浜х殑鍐呭瓨鑺鐗囪川閲忕ǔ瀹氾紝浠锋牸涓嶉珮锛屽彟澶栧競闈涓婅繕娴佽孡GS銆並ingmax銆侀噾閭﹂噾鏉＄瓑鍐呭瓨锛屽厛鏉ョ湅鐪嬪畠浠鐨勫唴瀛樿姱鐗囩紪鍙枫
锛1锛塇YUNDAI锛堢幇浠ｏ級
鐜颁唬鐨凷DRAM鍐呭瓨鍏煎规ч潪甯稿ソ锛屾敮鎸丏IMM鐨勪富鏉夸竴鑸閮藉彲浠ラ『鍒╃殑浣跨敤瀹冿紝鍏禨DRAM鑺鐗囩紪鍙锋牸寮忎负锛欻Y 5a b cde fg h i j k lm-no
鍏朵腑HY浠ｈ〃鐜颁唬鐨勪骇鍝侊紱5a琛ㄧず鑺鐗囩被鍨(57=SDRAM锛5D=DDRSDRAM)锛沚浠ｈ〃宸ヤ綔鐢靛帇(绌虹櫧=5V锛孷=3.3V,U=2.5V)锛沜de浠ｈ〃瀹归噺鍜屽埛鏂伴熷害锛16=16Mbits銆4K Ref锛64=64Mbits銆8K Ref锛65=64Mbits銆4K Ref锛128=128Mbits銆8K Ref锛129=128Mbits銆4K Ref锛256=256Mbits銆16K Ref锛257=256Mbits銆8K Ref锛夛紱fg浠
琛ㄨ姱鐗囪緭鍑虹殑鏁版嵁浣嶅斤紙40銆80銆16銆32鍒嗗埆浠ｈ〃4浣嶃8浣嶃16浣嶅拰32浣嶏級锛沨浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囧唴閮ㄧ敱鍑犱釜Bank缁勬垚锛1銆2銆3鍒嗗埆浠ｈ〃2涓銆4涓鍜8涓狟ank锛屾槸2鐨勫箓娆″叧绯伙級锛汭浠ｈ〃鎺ュ彛锛0=LVTTL銆擫ow Voltage TTL銆曟帴鍙ｏ級锛沯浠ｈ〃鍐呮牳鐗堟湰锛堝彲浠ヤ负绌虹櫧鎴朅銆丅銆丆銆丏绛夊瓧姣嶏紝瓒婂線鍚庝唬琛ㄥ唴鏍歌秺鏂帮級锛沰浠ｈ〃鍔熻楋紙L=浣庡姛鑰楄姱鐗囷紝绌虹櫧=鏅閫氳姱鐗囷級锛沴m浠ｈ〃灏佽呭舰寮忥紙JC=400mil SOJ锛孴C=400mil TSOP-II锛孴D=13mm TSOP-II锛孴G=16mm
TSOP-II锛夛紱no浠ｈ〃閫熷害锛7=7ns銆143MHz銆曪紝8=8ns銆125MHz銆曪紝10p=10ns銆擯C-100 CL2鎴3銆曪紝10s=10ns銆擯C-100 CL3銆曪紝10=10ns銆100MHz銆曪紝12=12ns銆83MHz銆曪紝15=5ns銆66MHz銆曪級銆
渚嬪侶Y57V658010CTC-10s锛孒Y琛ㄧず鐜颁唬鐨勮姱鐗囷紝57浠ｈ〃SDRAM锛65鏄64Mbit鍜4K refresh cycles/64ms锛8鏄8浣嶈緭鍑猴紝10鏄2涓狟ank锛孋鏄绗4涓鐗堟湰鐨勫唴鏍革紝TC鏄400mil TSOP-鈪″皝瑁咃紝10S浠ｈ〃CL=3鐨凱C-100銆
甯傞潰涓奌Y甯歌佺殑缂栧彿杩樻湁HY57V65XXXXXTCXX銆丠Y57V651XXXXXATC10锛屽叾涓瑼TC10缂栧彿鐨凷DRAM涓133MHz鐩稿綋鍥伴毦锛涚紪鍙稟TC8鐨勫彲瓒呭埌124MHz锛屼絾涓133MHz涔熶笉琛岋紱缂栧彿BTC鎴-7銆-10p鐨凷DRAM涓133MHz寰堢ǔ瀹氥備竴鑸鏉ヨ诧紝缂栧彿鏈鍚庝袱浣嶆槸7K鐨勪唬琛ㄨュ唴瀛樺栭戞槸PC100锛75鐨勬槸PC133鐨勶紝浣嗙幇浠ｅ唴瀛樼洰鍓嶅熬鍙蜂负75鐨勬棭宸插仠浜э紝鏀
鎹涓篢-H杩欐牱鐨勫熬鍙凤紝鍙甯傚満涓奝C133鐨勭幇浠ｅ唴瀛樺熬鍙蜂负75鐨勮繕鏈夊緢澶氾紝杩欏彲鑳芥槸浠ュ墠鐨勫悲璐э紝浣嗗彲鑳芥у緢灏忥紝鍋囪揣鐨勫彲鑳芥ц緝澶э紝鎵浠ユ渶濂借喘涔癟-H灏惧彿鐨凱C133鐜颁唬鍐呭瓨銆
锛2锛塋GS銆擫G Semicon銆
LGs濡備粖宸茶獺Y鍏煎苟锛屽競闈涓奓Gs鐨勫唴瀛樿姱鐗囦篃寰堝父瑙併
LGS SDRAM鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙锋牸寮忎负锛欸M72V ab cd e 1 f g T hi
鍏朵腑GM浠ｈ〃LGS鐨勪骇鍝侊紱72浠ｈ〃SDRAM锛沘b浠ｈ〃瀹归噺(16=16Mbits锛66=64Mbits)锛沜d琛ㄧず鏁版嵁浣嶅(涓鑸涓4銆8銆16绛)锛沞浠ｈ〃Bank锛2=2涓狟ank锛4=4涓狟ank锛夛紱f琛ㄧず鍐呮牳鐗堟湰锛岃嚦灏戝凡鎺掑埌E锛沢浠ｈ〃鍔熻楋紙L=浣庡姛鑰楋紝绌虹櫧=鏅閫氾級锛汿浠ｈ〃灏佽咃紙T=甯歌佺殑TSOP鈪″皝瑁咃紝I=BLP灏佽咃級锛沨i浠ｈ〃閫熷害锛7.5=7.5ns銆133MHz銆曪紝8=8ns銆125MHz銆曪紝7K=10ns銆擯C-100 CL2鎴3銆 锛7J=10ns銆100MHz銆曪紝10K=10ns銆100MHz銆曪紝12=12ns銆83MHz銆曪紝15=15ns銆66MHz銆曪級銆
渚嬪侴M72V661641CT7K锛岃〃绀篖Gs SDRAM锛64Mbit锛16浣嶈緭鍑猴紝4涓狟ank锛7K閫熷害鍗砅C-100銆丆L=3銆
LGS缂栧彿鍚庣紑涓锛7.5鏄疨C133鍐呭瓨锛8鏄鐪熸ｇ殑8ns PC 100鍐呭瓨锛岄熷害蹇浜7K/7J锛7K鍜7J灞炰簬PC 100鐨凷DRAM锛屼袱鑰呬富瑕佸尯鍒鏄绗涓変釜鍙嶅簲閫熷害鐨勫弬鏁颁笂锛7K姣7J鐨勮佸揩锛屼笂133MHz鏃7K姣7J鏇寸ǔ瀹氾紱10K灞炰簬闈濸C100瑙勬牸鐨勶紝閫熷害鏋佹參锛岀敱浜庝笌7J/7K澶栧瀷鐩镐技锛屼笉灏戝ジ鍟嗘妸瀹冧滑鍐掑厖7J/7K鐨勬潵鍗栥
锛3锛塊ingmax(鑳滃垱)
Kingmax鐨勫唴瀛橀噰鐢ㄥ厛杩涚殑TinyBGA灏佽呮柟寮忥紝鑰屼竴鑸琒DRAM鍐呭瓨閮介噰鐢═SOP灏佽呫傞噰鐢═inyBGA灏佽呯殑鍐呭瓨锛屽叾澶у皬鏄疶SOP灏佽呭唴瀛樼殑涓夊垎涔嬩竴锛屽湪鍚岀瓑绌洪棿涓婽inyBGA灏佽呭彲浠ュ皢瀛樺偍瀹归噺鎻愰珮涓夊嶏紝鑰屼笖浣撶Н瑕佸皬銆佹洿钖勶紝鍏堕噾灞炲熀鏉垮埌鏁ｇ儹浣撶殑鏈鏈夋晥鏁ｇ儹璺寰勪粎鏈0.36mm锛岀嚎璺闃绘姉涔熷皬锛屽洜姝ゅ叿鏈夎壇濂界殑瓒呴戞ц兘鍜岀ǔ瀹氭э紝涓嶈繃Kingmax鍐呭瓨涓庝富鏉胯姱鐗囩粍鐨勫吋瀹规т笉澶濂斤紝渚嬪侹ingmax PC150鍐呭瓨鍦ㄦ煇浜汯T133涓绘澘涓婄珶鐒舵棤娉曞紑鏈恒
Kingmax SDRAM鍐呭瓨鐩鍓嶆湁PC150銆丳C133銆丳C100涓夌嶃傚叾涓璓C150鍐呭瓨(涓嬪浘)瀹為檯涓婃槸鑳戒笂150澶栭戜笖鑳界ǔ瀹氬湪CL=3锛堟湁浜涜兘涓奀L=2锛夌殑鏋佸搧PC133鍐呭瓨鏉★紝璇ョ被鍨嬪唴瀛樼殑REV1.2鐗堟湰涓昏佽В鍐充簡涓嶸IA 694X鑺鐗囩粍涓绘澘鍏煎归棶棰橈紝鍥犳よ佸ソ浜嶳EV1.1鐗堟湰銆傝喘涔癒ingmax鍐呭瓨鏃讹紝浣犺佹敞鎰忓埆涔颁簡鎵撶（鏉★紝甯傞潰涓奐S甯告妸鍘熸湰鏄8ns鐨
Kingmax PC100鍐呭瓨鎵撶（鎴7ns鐨凱C133鎴朠C150鍐呭瓨锛屾墍浠ヤ綘鏈濂界敤SISOFT SANDRA2001绛夎蒋浠舵祴璇曚竴涓嬪唴瀛樼殑閫熷害锛屾敞鎰忚傚療鍐呭瓨涓婂瓧杩规槸鍚︽竻鏅帮紝鏄鍚︽湁瑙勫垯鐨勫埉鐥曪紝鑺鐗囪〃闈㈡槸鍚﹀彂鐧界瓑锛岀湅鐪嬭姱鐗囦笂鐨勭紪鍙枫
KINGMAX PC150鍐呭瓨閲囩敤浜6绾崇掔殑棰楃矑锛岃繖浣垮畠鐨勯熷害寰楀埌浜嗗緢澶х▼搴︾殑鎻愬崌锛屽嵆浣夸綘鐢ㄥ畠宸ヤ綔鍦≒C133锛屽叾閫熷害涔熶細姣斾竴鑸鐨凱C133鍐呭瓨鏉ョ殑蹇锛汯ingmax鐨凱C133鍐呭瓨鑺鐗囨槸-7鐨勶紝渚嬪傜紪鍙稫SV884T4A1A-07锛涜孭C100鍐呭瓨鑺鐗囨湁涓ょ嶆儏鍐碉細閮ㄥ垎鏄-8鐨勶紙渚嬪傜紪鍙稫SV884T4A0-08锛夛紝閮ㄥ垎鏄-7鐨勶紙渚嬪傜紪鍙稫SV884T4A0-07锛夈傚叾涓璌INGMAXPC133涓嶱C100鐨勫尯鍒鍦ㄤ簬锛歅C100鐨勫唴瀛樻湁鐩稿綋涓閮ㄥ垎鍙浠ヨ秴棰戝埌133锛屼絾涓嶆槸鍏ㄩ儴锛涜孭C133鐨勫唴瀛樺嵈鍙浠ヤ繚璇100%绋冲畾宸ヤ綔鍦≒C133澶栭戜笅锛圕L=2锛夈
锛4锛塆eil(閲戦偊銆佸師妯甸庨噾鏉)
閲戦偊閲戞潯鍒嗕负"閲戙佺孩銆佺豢銆侀摱銆佽摑"浜旂嶅唴瀛樻潯锛屽悇绉嶉噾閭﹂噾
鏉＄殑SPD鍧囨槸纭瀹氱殑锛屽瑰簲涓嶅悓鐨勪富鏉裤傚叾涓绾㈣壊閲戞潯鏄疨C133鍐呭瓨锛涢噾鑹查噾鏉P閽堝筆C133鏈嶅姟鍣ㄧ郴缁燂紝閫傚悎鍙屽勭悊鍣ㄤ富鏉匡紱缁胯壊閲戞潯鏄疨C100鍐呭瓨锛涜摑A鑹查噾鏉￠拡瀵笰MD750/760 K7绯讳富鏉匡紝闈㈠悜瓒呴戠帺瀹讹紱钃漋鑹查噾鏉￠拡瀵筀X133涓绘澘锛涜摑T鑹查噾鏉￠拡瀵筀T-133涓绘澘锛涢摱鑹查噾鏉℃槸闈㈠悜绗旇版湰鐢佃剳鐨凱C133鍐呭瓨銆
閲戦偊鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙蜂緥濡侴L2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
鍏朵腑GL2000浠ｈ〃鑺鐗囩被鍨嬶紙GL2000=鍗冪Η鏉TSOPs鍗冲皬鍨嬭杽鍨嬪皝瑁咃紝閲慡DRAM=BLP锛夛紱GP浠ｈ〃閲戦偊绉戞妧鐨勪骇鍝侊紱6浠ｈ〃浜у搧瀹舵棌锛6=SDRAM锛夛紱LC浠ｈ〃澶勭悊宸ヨ壓锛圕=5V Vcc CMOS锛孡C=0.2寰绫3.3V Vdd CMOS锛孷=2.5V Vdd CMOS锛夛紱16M8鏄璁惧囧彿鐮侊紙娣卞害*瀹藉害锛屽唴瀛樿姱鐗囧归噺 = 鍐呭瓨鍩虹矑瀹归噺 * 鍩虹矑鏁扮洰 = 16 * 8 =128Mbit锛屽叾涓16 = 鍐呭瓨鍩虹矑瀹归噺锛8 = 鍩虹矑鏁扮洰锛汳 = 瀹归噺鍗曚綅锛屾棤瀛楁瘝=Bits锛孠=KB锛孧=MB锛孏=GB锛夛紱4琛ㄧず鐗堟湰锛汿G鏄灏佽呬唬鐮侊紙DJ=SOJ锛孌W=瀹藉瀷SOJ锛孎=54閽4琛孎BGA锛孎B=60閽8*16 FBGA锛孎C=60閽11*13 FBGA锛孎P=鍙嶈浆鑺鐗囧皝瑁咃紝FQ=鍙嶈浆鑺鐗囧瘑灏侊紝F1=62閽2琛孎BGA锛孎2=84閽堬紝2琛孎BGA锛孡F=90閽團BGA锛孡G=TQFP锛孯1=62閽2琛屽井鍨婩BGA锛孯2=84閽2琛屽井鍨婩BGA锛孴G=TSOP锛堢浜屼唬锛夛紝U=渭 BGA锛夛紱-7鏄瀛樺彇鏃堕棿锛7=7ns锛143MHz锛夛級锛汚MIR鏄鍐呴儴鏍
璇嗗彿銆備互涓婄紪鍙疯〃绀洪噾閭﹀崈绂ф潯锛128MB锛孴SOP锛堢浜屼唬锛夊皝瑁咃紝0.2寰绫3.3V Vdd CMOS鍒堕犲伐鑹猴紝7ns銆143MHz閫熷害銆
锛5锛塖EC锛圫amsung Electronics锛屼笁鏄燂級
涓夋槦EDO DRAM鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙蜂緥濡侹M416C254D琛ㄧず锛欿M琛ㄧず涓夋槦鍐呭瓨锛4浠ｈ〃RAM绉嶇被锛4=DRAM锛夛紱16浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囩粍鎴恱16锛1=x1[浠1鐨勫嶆暟涓哄崟浣峕銆4=x4銆8=x8銆16=x16锛夛紱C浠ｈ〃鐢靛帇锛圕=5V銆乂=3.3V锛夛紱254浠ｈ〃鍐呭瓨瀵嗗害256Kbit锛256[254] =256Kx銆512(514) = 512Kx銆1 = 1Mx銆4 = 4Mx銆8 = 8Mx銆16 =16Mx锛夛紱D浠ｈ〃鍐呭瓨鐗堟湰锛堢┖鐧=绗1浠ｃ丄=绗2浠ｃ丅=绗3浠ｃ丆=绗4浠ｃ丏=绗5浠ｏ級鍗充笁鏄256Kbit*16=4Mb鍐呭瓨銆
涓夋槦SDRAM鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙蜂緥濡侹M416S16230A-G10琛ㄧず锛欿M琛ㄧず涓
鏄熷唴瀛橈紱4浠ｈ〃RAM绉嶇被锛4=DRAM锛夛紱16浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囩粍鎴恱16锛4 = x4銆8 = x8銆16 =x16锛夛紱S浠ｈ〃SDRAM锛16浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囧瘑搴16Mbit锛1 = 1M銆2 = 2M銆4 = 4M銆8 =8M銆16 = 16M锛夛紱2浠ｈ〃鍒锋柊锛0 = 4K銆1 = 2K銆2 = 8K锛夛紱3琛ㄧず鍐呭瓨鎺掓暟锛2=2鎺掋3=4鎺掞級锛0浠ｈ〃鍐呭瓨鎺ュ彛锛0=LVTTL銆1=SSTL锛夛紱A浠ｈ〃鍐呭瓨鐗堟湰锛堢┖鐧=绗1浠ｃ丄=绗2浠ｃ丅=绗3浠ｏ級锛汫浠ｈ〃鐢垫簮渚涘簲锛圙=鑷鍔ㄥ埛鏂般丗=浣庣數鍘嬭嚜鍔ㄥ埛鏂帮級锛10浠ｈ〃鏈楂橀戠巼锛7 =7ns[143MHz]銆8 = 8ns[125 MHz]銆10 = 10ns[100 MHz]銆丠 = 100MHz @ CAS鍊间负2銆丩=100 MHz @ CAS鍊间负3 锛夈備笁鏄熺殑瀹归噺闇瑕佽嚜宸辫＄畻涓涓嬶紝鏂规硶鏄鐢"S"鍚庣殑鏁板瓧涔楽鍓嶇殑鏁板瓧锛屽緱鍒扮殑缁撴灉鍗充负瀹归噺锛屽嵆涓夋槦16M*16=256Mbit SDRAM鍐呭瓨鑺鐗囷紝鍒锋柊涓8K锛屽唴瀛楤anks涓3锛屽唴瀛樻帴鍙LVTTL锛岀2浠ｅ唴瀛橈紝鑷鍔ㄥ埛鏂帮紝閫熷害鏄
10ns(100 MHz)銆
涓夋槦PC133鏍囧噯SDRAM鍐呭瓨鑺鐗囨牸寮忓備笅锛
Unbuffered鍨嬶細KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered鍨嬶細KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
涓夋槦DDR鍚屾DRAM鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙蜂緥濡侹M416H4030T琛ㄧず锛欿M琛ㄧず涓夋槦鍐呭瓨锛4浠ｈ〃RAM绉嶇被锛4=DRAM锛夛紱16琛ㄧず鍐呭瓨鑺鐗囩粍鎴恱16锛4=x4銆8=x8銆16=x16銆32=x32锛夛紱H浠ｈ〃鍐呭瓨鐢靛帇锛圚=DDR SDRAM[3.3V]銆丩=DDR SDRAM[2.5V]锛夛紱4浠ｈ〃鍐呭瓨瀵嗗害4Mbit锛4=4M銆8 = 8M銆16 = 16M銆32 = 32M銆64 = 64M銆12 = 128M銆25 =
256M銆51 = 512M銆1G = 1G銆2G = 2G銆4G = 4G锛夛紱0浠ｈ〃鍒锋柊锛0 = 64m/4K [15.6渭s]銆1 = 32m/2K
[15.6渭s]銆2 = 128m/8K[15.6渭s]銆3 = 64m/8K[7.8渭s]銆4 =128m/16K[7.8渭s]锛夛紱3琛ㄧず鍐呭瓨鎺掓暟锛3=4鎺掋4=8鎺掞級锛0浠ｈ〃鎺ュ彛鐢靛帇锛0=娣峰悎鎺ュ彛LVTTL+SSTL_3(3.3V)銆1=SSTL_2(2.5V)锛夛紱T琛ㄧず灏佽呯被鍨嬶紙T=66閽
TSOP II銆丅=BGA銆丆=寰鍨婤GA(CSP)锛夛紱Z浠ｈ〃閫熷害133MHz锛5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)銆6 = 6ns,166MHz (333Mbps)銆乊 = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)銆乑 = 7.5ns,133MHz (266Mbps)銆8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)銆0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)锛夈傚嵆涓夋槦4Mbit*16=64Mbit鍐呭瓨鑺鐗囷紝3.3V DDR SDRAM锛屽埛鏂版椂闂0 = 64m/4K
(15.6渭s)锛屽唴瀛樿姱鐗囨帓鏁颁负4鎺掞紙涓ら潰鍚勪袱鎺掞級锛屾帴鍙ｇ數鍘婰VTTL+SSTL_3(3.3V)锛屽皝瑁呯被鍨66閽圱SOP II锛岄熷害133MHZ銆
涓夋槦RAMBUS DRAM鍐呭瓨鑺鐗囩紪鍙蜂緥濡侹M418RD8C琛ㄧず锛欿M琛ㄧず涓夋槦鍐呭瓨锛4浠ｈ〃RAM绉嶇被锛4=DRAM锛夛紱18浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囩粍鎴恱18锛16 = x16銆18 = x18锛夛紱RD琛ㄧず浜у搧绫诲瀷锛圧D=Direct RAMBUS DRAM锛夛紱8浠ｈ〃鍐呭瓨鑺鐗囧瘑搴8M锛4 = 4M銆8 =8M銆16 = 16M锛夛紱C浠ｈ〃灏佽呯被鍨嬶紙C = 寰鍨婤GA銆丏 =寰鍨婤GA [閫嗚浆CSP]銆乄 = WL-CSP锛夛紱80浠ｈ〃閫熷害锛60 = 600Mbps銆80 = 800Mbps锛夈傚嵆涓夋槦8M*18bit=144M锛孊GA灏佽咃紝閫熷害800Mbps銆
锛6锛塎icron锛堢編鍏夛級
Micron鍏鍙告槸涓栫晫涓婄煡鍚嶅唴瀛樼敓浜у晢涔嬩竴锛堝傚彸鍥綧icron PC143 SDRAM鍐呭瓨鏉★級锛屽叾SDRAM鑺鐗囩紪鍙锋牸寮忎负锛歁T48 ab cdMef Ag TG-hi j
鍏朵腑MT浠ｈ〃Micron鐨勪骇鍝侊紱48浠ｈ〃浜у搧瀹舵棌锛48=SDRAM銆4=DRAM銆46=DDR SDRAM銆6=Rambus锛夛紱ab浠ｈ〃澶勭悊宸ヨ壓锛圕=5V Vcc CMOS锛孡C=3.3V Vdd CMOS锛孷=2.5V Vdd CMOS锛夛紱cdMef璁惧囧彿鐮侊紙娣卞害*瀹藉害锛夛紝鏃犲瓧姣=Bits锛孠=Kilobits锛圞B锛夛紝M=Megabits锛圡B锛夛紝G=Gigabits锛圙B锛塎ricron鐨勫归噺=cd*ef锛沞f琛ㄧず鏁版嵁浣嶅(4銆8銆16銆32鍒嗗埆浠ｈ〃4浣嶃8浣嶃16浣嶅拰32浣)锛汚g浠ｈ〃Write Recovery銆擳wr銆(A2=Twr=2clk)锛汿G浠ｈ〃灏佽咃紙TG=TSOPII灏佽咃紝DJ=SOJ锛孌W=瀹藉瀷SOJ锛孎=54閽4琛孎BGA锛孎B=60閽8*16 FBGA锛孎C=60閽11*13 FBGA锛孎P=鍙嶈浆鑺鐗囧皝瑁咃紝FQ=鍙嶈浆鑺鐗囧瘑灏侊紝F1=62閽2琛孎BGA锛孎2=84閽2琛孎BGA锛孡F=90閽團BGA锛孡G=TQFP锛孯1=62閽2琛屽井鍨
FBGA锛孯2=84閽2琛屽井鍨婩BGA锛孶=渭 BGA锛夛紱j浠ｈ〃鍔熻楋紙L=浣庤楋紝绌虹櫧=鏅閫氾級锛沨j浠ｈ〃閫熷害锛屽垎鎴愪互涓嬪洓绫伙細
锛圓锛夈丏RAM-4=40ns锛-5=50ns锛-6=60ns锛-7=70ns SDRAM锛寈32 DDR SDRAM锛堟椂閽熺巼 @ CL3锛-15=66MHz锛-12=83MHz锛-10+=100MHz锛-8x+=125MHz锛-75+=133MHz锛-7x+=143MHz锛-65=150MHz锛-6=167MHz锛-55=183MHz锛-5=200MHzDDR SDRAM锛坸4锛寈8锛寈16锛夋椂閽熺巼 @ CL=2.5锛-8+=125MHz锛-75+=133MHz锛-7+=143MHz
锛圔锛夈丷ambus锛堟椂閽熺巼锛
-4D=400MHz 40ns锛-4C=400MHz 45ns锛-4B=400MHz 50ns锛-3C=356MHz 45ns锛-3B=356MHz 50ns锛-3M=300MHz 53ns+鐨勫惈涔-8E鏀鎸丳C66鍜孭C100锛圕L2鍜孋L3锛-75鏀鎸丳C66銆丳C100锛圕L2鍜孋L3锛夈丳C133锛圕L=3锛夈-7鏀鎸丳C66銆丳C100锛圕L2鍜孋L3锛夈丳C133锛圕L2鍜孋L3锛-7E鏀鎸丳C66銆丳C100锛圕L2鍜孋L3锛夈丳C133锛圕L2+鍜孋L3锛
锛圕锛夈丏DR SDRAM
-8鏀鎸丳C200锛圕L2锛-75鏀鎸丳C200锛圕L2锛夊拰PC266B锛圕L=2.5锛-7鏀鎸丳C200锛圕L2锛夛紝PC266B锛圕L2锛夛紝PC266A锛圕L=2.5锛夈備緥濡侻T 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES琛ㄧず缇庡厜鐨凷DRAM锛16M8=16*8MB=128MB锛133MHz
锛7锛夊叾瀹冨唴瀛樿姱鐗囩紪鍙
NEC鐨勫唴瀛樿姱鐗囩紪鍙蜂緥濡偽糚D4564841G5-A80-9JF琛ㄧず锛毼糚D4浠ｈ〃NEC鐨勪骇鍝侊紱5浠ｈ〃SDRAM锛64浠ｈ〃瀹归噺64MB锛8琛ㄧず鏁版嵁浣嶅斤紙4銆8銆16銆32鍒嗗埆浠ｈ〃4浣嶃8浣嶃16浣嶃32浣嶏紝褰撴暟鎹浣嶅戒负16浣嶅拰32浣嶆椂锛屼娇鐢ㄤ袱浣嶏級锛4浠ｈ〃Bank鏁帮紙3鎴4浠ｈ〃4涓狟ank锛屽湪16浣嶅拰32浣嶆椂浠ｈ〃2涓狟ank锛2浠ｈ〃2涓狟ank锛夛紱1浠ｈ〃LVTTL锛堝備负16
浣嶅拰32浣嶇殑鑺鐗囷紝鍒欎负涓や綅锛岀2浣嶅弻閲嶅惈涔夛紝濡1浠ｈ〃2涓狟ank鍜孡VTTL锛3浠ｈ〃4涓狟ank鍜孡VTTL锛夛紱G5涓篢SOPII灏佽咃紱-A80浠ｈ〃閫熷害锛氬湪CL=3鏃跺彲宸ヤ綔鍦125MHZ涓嬶紝鍦100MHZ鏃禖L鍙璁句负2锛80=8ns銆125MHz CL 3銆曪紝10=10ns銆擯C100 CL 3銆曪紝10B=10ns杈10鎱锛孴ac涓7锛屼笉瀹屽叏绗﹀悎PC100瑙勮寖锛12=12ns锛70=[PC133]锛75=[PC133]锛夛紱JF浠ｈ〃灏佽呭栧瀷锛圢F=44-pinTSOP-II锛汮F=54-pin TSOPII锛汮H=86-pin TSOP-II锛夈
HITACHI鐨勫唴瀛樿姱鐗囩紪鍙蜂緥濡侶M5264805F -B60琛ㄧず锛欻M浠ｈ〃鏃ョ珛鐨勪骇鍝侊紱52鏄疭DRAM绫诲瀷锛51=EDO DRAM锛52=SDRAM锛夛紱64浠ｈ〃瀹归噺64MB锛80琛ㄧず鏁版嵁浣嶅斤紙40銆80銆16鍒嗗埆浠ｈ〃4浣嶃8浣嶃16浣嶏級锛5F琛ㄧず鏄绗鍑犱釜鐗堟湰鐨勫唴鏍革紙鐜板湪鑷冲皯宸叉帓鍒"F"浜嗭級锛涚┖鐧借〃绀哄姛鑰楋紙L=浣庡姛鑰楋紝绌虹櫧=鏅閫氾級锛汿T涓篢SOII灏佽咃紱B60浠ｈ〃閫熷害锛75=7.5ns銆133MHz銆曪紝80=8ns銆125MHz銆曪紝A60=10ns銆擯C-100 CL2鎴3銆曪紝B60=10ns銆擯C-100 CL3銆曞嵆100MHZ鏃禖L鏄3锛夈
SIEMENS锛堣タ闂ㄥ瓙锛夊唴瀛樿姱鐗囩紪鍙锋牸寮忎负锛欻YB39S ab cd0 e T f -gh 鍏朵腑ab涓哄归噺锛実h鏄閫熷害锛6=166MHz锛7=143MHz锛7.5=133MHz锛8=125MHz锛8B=100MHz銆擟L3銆曪紝10=100MHz銆擯C66瑙勬牸銆曪級銆
TOSHIBA鐨勫唴瀛樿姱鐗囩紪鍙蜂緥濡俆C59S6408BFTL-80琛ㄧず锛歍C浠ｈ〃鏄涓滆姖鐨勪骇鍝侊紱59浠ｈ〃SDRAM锛堝叾鍚庣殑S=鏅閫歋DRAM锛孯=Rambus SDRAM锛學=DDR SDRAM锛夛紱64浠ｈ〃瀹归噺锛64=64Mb锛孧7=128Mb锛夛紱08琛ㄧず鏁版嵁浣嶅斤紙04銆08銆16銆32鍒嗗埆浠ｈ〃4浣嶃8浣嶃16浣嶅拰32浣嶏級锛汢琛ㄧず鍐呮牳鐨勭増鏈锛汧T涓篢SOPII灏佽咃紙FT鍚庡傛湁瀛楁瘝L=浣庡姛鑰楋紝绌虹櫧=鏅閫氾級锛80浠ｈ〃閫熷害锛75=7.5ns銆133MHz銆曪紝80=8ns銆125MHz銆曪紝10=10ns銆100MHz CL=3銆曪級銆
IBM鐨勫唴瀛樿姱鐗囩紪鍙蜂緥濡侷BM0316809CT3D-10锛屽叾涓璉BM浠ｈ〃IBM鐨勪骇鍝侊紱03浠ｈ〃SDRAM锛16浠ｈ〃瀹归噺16MB锛80琛ㄧず鏁版嵁浣嶅斤紙40銆80銆16鍒嗗埆浠ｈ〃4銆8銆16浣嶏級锛汣浠ｈ〃鍔熻楋紙P=浣庡姛鑰楋紝C=鏅閫氾級锛汥琛ㄧず鍐呮牳鐨勭増鏈锛10浠ｈ〃閫熷害锛68=6.8ns銆147MHz銆曪紝75A=7.5NS銆133MHz銆曪紝 260鎴222=10ns銆擯C100 CL2鎴3銆曪紝360鎴322=10ns銆擯C100 CL3銆曪紝B鐗堢殑64Mbit鑺鐗囦腑锛260鍜360鍦–L=3鏃剁殑鏍囧畾閫熷害涓猴細135MHZ锛10=10NS銆100MHz銆曘
D. 如何鉴别真假金邦内存
没假的
E. 200分内存型号怎么认的
EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，扩展数据输出内存，是Micron公司的专利技术，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在传统 FPRAM (Fast Page RAM) 中改进过来, 运作上主要系假定下一次的存取地址都是与上一次连续, 然后准备定资料 (这是假设用户的资料多数是 sequential 的), 这样便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 于 1993 年后 EDO RAM 便开始取代 FPRAM 的位置
静态随机存取内存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半导体内存的一种, 属随机存取内存 (RAM) 一类。所谓的「静态」, 是指这种内存只要保持通电, 里面储存的资讯就可以恒常保持。相对之下, 动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的资料就需要周期性地更新。然而, 当电力供应停止时, 其内储存的资料还是会消失, 这与在断电后还能储存资料的 ROM 或快闪存储器仍然是不同的。
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。
DDR双通道同步动态随机存储器（双通道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
由于传统SDRAM在运作时，一个单位时间内只能读/写一次，当同时需要读取和写入时，便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点，由于读取和写入可以在一个单位时间内进行，因此效能便会提升两倍，这也便是为何DDR SDRAM的时脉要「自动乘以二」的缘故。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格（记忆芯片）
DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行
DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行
DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行
DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)
DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700的例子(产品):Patriot PDC1G5600ELK
[编辑] 规格 （芯片模块）
PC-1600内存模块指工作在100 MHz下的DDR-200内存芯片，其拥有1.600 MegaByte/s的带宽
PC-2100内存模块指工作在133 MHz下的DDR-266内存芯片，其拥有2.133 MegaByte/s的带宽
PC-2700内存模块指工作在166 MHz下的DDR-333内存芯片，其拥有2.667 MegaByte/s的带宽
PC-3200内存模块指工作在200 MHz下的DDR-400内存芯片，其拥有3.200 MegaByte/s的带宽
DDR2第二代双倍数据率同步动态随机访问内存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为 DDR2 SDRAM），是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机访问内存）的后继者，也是现时流行的内存产品。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格（记忆芯片）
DDR2-400：DDR2-SDRAM 记忆片在200 MHz下运行
DDR2-533：DDR2-SDRAM 记忆芯片在266 MHz下运行
DDR2-667：DDR2-SDRAM 记忆芯片在333 MHz下运行
DDR2-800：DDR2-SDRAM 记忆芯片在400 MHz下运行
DDR2-1000：DDR2-SDRAM 记忆芯片在500 MHz下运行
DDR2-1066：DDR2-SDRAM 记忆芯片在533 MHz下运行
现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性。
DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。
F. 这个NANYA内存颗粒编号代表什么意思呀
下面这也是我网上复制来的
慢慢看吧. 也算多长点知识
把你的编号问题都给解释了
内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
（A）DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
G. 内存编号问题
内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载地址http://www.sisoftware.co.uk/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。
LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
（A）、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-
65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz
50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；
64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据
位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表
2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含
义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：
在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns
〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=
[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；
JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型
（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4
位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗
（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns
〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是
3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是
速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz
〔PC66规格〕）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM
（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，
M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示
内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度
（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代
表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功
耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS
〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的
64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
H. 我的机子是方正电脑，内存是256MB，现在想加一根256MB或直接换512MB内存，请问我如何查看现内存条型号呢
打开机箱,拔下内存条看.
内存条正面右侧的一块小芯片上有一组数据,
记录下来,拿到配件商店去(反正要去买的)
让店员帮忙看看就可以了
听一下建议,看那些适合自己的机子.
个人建议,换一条512的内存.(条件允许的话)